BeSang Inc.와 함께 3D IC 반도체의 미래를 책임질 인재를 모집합니다.
모집 부문
업무내용
지원자격
개발부

    Device 엔지니어:
    •  TCAD Simulation
    •   Memory (DRAM & Flash) Cell Design
    •   Device Layout, DRC
    •   CMOS, DRAM, NAND의 Full Process Flow
    •   Process Integration
•  3년 이상의 경력을 가지신 분
•  영어회화 가능하신 분
•  해외여행 결격 사유 없으신 분

    DRAM 설계 엔지니어:
    •  1GB 이상의 DRAM제품 설계
    •   DRAM core & periphery 회로에 대한 design,
    simulation, debug
    •   LVS & Cadence Tool

    NAND 설계 엔지니어:
    •   4Gb 이상의 NAND제품 설계  
    •   NAND core & periphery 회로에 대한
           design, simulation, debug
    •   LVS & Cadence Tool
    Process 엔지니어:
    •   Wet Etch, Dry Etch 공정
1. 모집부문 및 응시자격
2. 지원 기간:         2011년5월1일 ~ 6월30일(기간 내 수시 채용)

3. 전형 방법:

1차:서류심사 / 2차:한국지사채용담당자면접 / 3차:본사채용담당자면접

4. 지원방법:

영문이력서 및 자기소개서를 jobs@besang.com 로 송부하여 주시기 바랍니다

5. 기타 궁금하신 점은 02-3471-2025 문의 바랍니다.
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  BeSang Inc.은 미국Oregon주 Beaverton시에 설립된 팹리스 반도체 회사입니다.
일관 제조 공정으로 진행되는 3차원 반도체 집적회로 기술에 관한 원천 특허와 제조 기술을 보유하고
있으며, 관련 제조공정, 디자인, 전자재료 및 기술 라이선스를 사업 모델로 하는 회사입니다. 특히, 완성된
반도체 기판 위에 무결점 단결정 반도체 박막을 형성하고, 그 박막을 이용하여 반도체를 3차원으로 연속
형성하는 세계 최초, 그리고 유일의 3차원 반도체집적회로 기술을 보유하고 있습니다. EE Times에 의해
Top 60 Global Startups에 2회 연속 선정되었으며, 이번에 한국의 R&D Center에서 일할 유능한 인재를
모십니다. 실무 경험 쌓으신 많은 분들의 지원 부탁드립니다. 신규 채용되신 모든 분께는 미국 본사로의
연수 기회가 주어집니다.